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Si parla di DDR3: assaggino teorico


v_parrello

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Le memorie DDR3 si affacciarenno nel mercato entro il II quarter del 2007. Praticamente le nuove memorie saranno migliori delle attuali DDR2 in quasi tutti gli aspetti (consumi, banda, latenze).

 

E' confermato che il principio concettuale rimane uguale a quello che ha caratterizzato il passaggio da DDR a DDR2. Con lo schema successivo spiego cosa voglio dire:

 

confrontoddr2conddr3os3.jpg

 

 

Dalla schematizzazione precedente si capisce come con lo stesso clock riesco a spostare una quantità doppia di dati nelle DDR3 rispetto alla DDR2. Quindi riesco a parità di clock a realizzare una banda per i dati doppia.

 

Inoltre è migliorata l'elettronica con cui sono costruite le RAM consentendo di abbassare il voltaggio dei segnali di I/O e questo si traduce con un più basso consumo legato alle minori tensioni di esercizio.

 

Hanno introdotto una ODT dinamica che varia in funzione della condizione di utilizzo delle RAM (attualmente il valore dell'ODT nelle DDR2 è statico e rimane fisso al variare delle condizioni di utilizzo), consentendo una riduzione dei disturbi sul bus dati/segnali in funzione della condizione di utilizzo.

 

Ancora hanno introdotto un nuovo circuito per la calibrazione più precisa delle varie della resistenza di terminazione (ODT) e dei segnali di uscita, otttenendo così un migliore interfacciamento "elettrico" delle memorie con il sistema in cui verranno utilizzate al fine di minimizzare i disturbi elettrici che genrano rumore e corrompono i dati che viaggiano sul bus (mi scuso con i puristi ma ho riportato i concetti espressi nell'articolo nel modo più semplice possibile rischiando di dire delle cose non proprio precise).

 

Se volete lambiccarvi il cervello con qualche articolo:

DDR3

http://www.eetasia.com/ARTICLES/2005DEC/B/EEOL_2005DEC16_STOR_TA.pdf

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bella lì vincenzo... penso di aver capito quasi tutto il discorso che hai fatto tranne l'ODT...quella parte proprio nn l'ho capita... :uhm: un aiutino dal pubblico? cos'è l'ODT e che vantaggi porta a metterla dinamica invece che statica?

 

Marco

 

Un problema che c'era nelle memorie DDR era quello che quando alcuni banchi di memoria non erano attivi (perche' non era necessario accederli) riflettevano i segnali elettrici che si propagavano sul bus dati/segnali creando del rumore e di fatto limitando le performances delle memorie e la possibilità di salire in overclock senza avere errori.

Con le DDR2 questo problema è stato minimizzato integrando una resistenza (una impedenza per la precisione) di terminazione a bordo delle RAM che ha il compito di minimizzare la riflessione dei segnali elettrici che viaggiano sul bus e generati dai banchi di memoria non attivi. Il valore di questa resistenza è fisso e ogni kit di memoria ha la sua (in funzione dei chip utilizzati per la costruzioni e delle specifiche di funzionamento delle memorie).

Nelle DDR2, fissato il kit di memoria, la resistenza di terminazione è quella e non cambia al cambiare delle condiizoni di funzionamento. Per esempio, una resistenza di terminazione che è stata progettata per minimizzare il più possibile i segnali elettrici riflessi a frequenze DDR2-800 MHz, magari a frequenze DDR2-1000 MHz funziona lo stesso ma è meno efficace.

 

Questo problema viene superato nelle memorie DDR3 nella quali l'ODT è dinamica e varia al variare delle condizioni di utilizzo, consentendo così sempre di avere prestazioni ottimali in tutto il range di condizioni di utilizzo delle memorie.

 

Spero di essermi spiegato meglio.

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capitoooooooooooooooooooooooo :ave:

 

 

 

grazie vincè!

 

 

quindi teoricamente dovrebbe essere anche più facile overcloccarle...giusto? ... molto teoricamente naturalmente...

 

Marco

 

Teoricamente si! Comunque in generale si migliora la qualità del segnale elettrico sui bus e quindi si milgiora la capacità di far lavorare le memorie fuori specifica.

 

Ciao,

Vincenzo

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