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Maxxpower992

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Comunque l'articolo originale in inglese parla di "Ultrahigh-frequency SiGe circuits", microcircuiti basati su un processo produttivo con wafer di 200-mm che sono capaci di lavorare a temperatura ambiente a 350 GHz. Quindi sembrerebbe proprio che si parli di microcircuiti capaci di raggiungere frequenze di lavoro di 350 GHz di clock a temperatura ambiente.

 

Se così fosse avrebbero trovato un nuovo materiale che supera di circa 10 volte i limiti oggi esistenti sui microcircuiti basati sui wafer di silicio: attualmente i microcircuiti utilizzati nel processo produttivo delle moderne CPU non riescono a lavorare oltre i 4-5 GHz di clock.

 

Purtroppo sembra che il costo del materiale e delle lavorazioni sia basso ma non sufficientemente da giustificarne un uso nell'elettronica di consumo. Infatti i circuiti SiGe inizialmente saranno utilizzati in ambito militare, spaziale e per le telecomunicazioni.

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Comunque l'articolo originale in inglese parla di "Ultrahigh-frequency SiGe circuits", microcircuiti basati su un processo produttivo con wafer di 200-mm che sono capaci di lavorare a temperatura ambiente a 350 GHz. Quindi sembrerebbe proprio che si parli di microcircuiti capaci di raggiungere frequenze di lavoro di 350 GHz di clock a temperatura ambiente.

 

Se così fosse avrebbero trovato un nuovo materiale che supera di circa 10 volte i limiti oggi esistenti sui microcircuiti basati sui wafer di silicio: attualmente i microcircuiti utilizzati nel processo produttivo delle moderne CPU non riescono a lavorare oltre i 4-5 GHz di clock.

 

Purtroppo sembra che il costo del materiale e delle lavorazioni sia basso ma non sufficientemente da giustificarne un uso nell'elettronica di consumo. Infatti i circuiti SiGe inizialmente saranno utilizzati in ambito militare, spaziale e per le telecomunicazioni.

 

eh, maledetti militari!! ahaha...

a parte scherzi, ma non ho capito, questo SiGe è il wafer o è il materiale dei microcircuiti?

 

Marco

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Potrebbe essere il materiale con cui rifaranno il cervello dei militari per farlo funzionare più velocemente ... :2funny: :2funny: :2funny:

 

Provo a richamare in memoria vecchie reminiscenze degli studi fatti, che visto il tempo che è passato, sono ormai molto confuse.

 

Il wafer dovrebbe essere il substrato di silicio su cui sono impressi circuiti elettrici, diodi e transistor, ovvero tutti i componenti che costituiscono i circuiti integrati.

 

In questo caso per costruire il wafer hanno utilizzato silicio e germanio da cui il nome SiGe che è la concatenazione del nome chimico dei due componenti (SI e Ge) ottenendo così il risultato che è stato pubblicato nell'articolo.

 

Vincenzo

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Potrebbe essere il materiale con cui rifaranno il cervello dei militari per farlo funzionare più velocemente ... :2funny: :2funny: :2funny:

 

Provo a richamare in memoria vecchie reminiscenze degli studi fatti, che visto il tempo che è passato, sono ormai molto confuse.

 

Il wafer dovrebbe essere il substrato di silicio su cui sono impressi circuiti elettrici, diodi e transistor, ovvero tutti i componenti che costituiscono i circuiti integrati.

 

In questo caso per costruire il wafer hanno utilizzato silicio e germanio da cui il nome SiGe che è la concatenazione del nome chimico dei due componenti (SI e Ge) ottenendo così il risultato che è stato pubblicato nell'articolo.

 

Vincenzo

 

ahaha...magari..ma è dura!!! :2funny:

 

comunque ho capito ora! grazie mille!

 

Marco

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ottima guida....nn alla portata di tutti, ho avuto alcune difficoltà a capirle (nn sono praticissimo in elettronica ma qualcosina mi hanno insegnato all'uni in fisica elettronica) ma alla fine dovrei aver capito il processo produttivo.

 

L'unica cosa che nn capisco è questa, se il SiGe fino ad ora lo usavano come interstrato per dare una componente di stress ..quindi più mobilità al silicio puro...com'è che ora vogliono fare tutto con sto SiGe?

Nel senso... fino ad ora nn avevano scoperto che sto SiGe aveva queste fantastiche proprietà? Cioè...fino ad ora lo usavano tipo "colla" e ora lo vogliono usare per creare in toto il wafer?

 

???

 

Marco

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'unica cosa che nn capisco è questa, se il SiGe fino ad ora lo usavano come interstrato per dare una componente di stress ..quindi più mobilità al silicio puro...com'è che ora vogliono fare tutto con sto SiGe?

Nel senso... fino ad ora nn avevano scoperto che sto SiGe aveva queste fantastiche proprietà? Cioè...fino ad ora lo usavano tipo "colla" e ora lo vogliono usare per creare in toto il wafer?

 

Sicuramente avrai capito che il processo produttivo che porta alla fabbricazione del wafer è abbstanza complicato e comprende diversi passi con la combinazione e la lavorazione di questi materiali in maniera molto complessa con strumenti all'avanguardia. Quindi il processo produttivo dipende da moltissimi parametri/fattori e soprattutto dall'alchimia che si utilizza per raggiungere il risultato finale.

 

Avranno trovato il modo di combinare e lavorare assieme il Silicio ed il Germanio utilizzando strumenti e processi di lavorazione mai utilizzati prima in modo da produrre wafer con queste fantastiche proprietà. Se mi chiedi come avranno fatto non te lo so dire perche' loro stessi nell'articolo affermano che è il frutto di ricerche e sperimentazioni di 40 anni, pero' sicuramente avranno trovato il modo "giusto". Se lo sapessi l'avrei già fatto io con i risultati che ti puoi immaginare .....

 

Per fare un'analogia stupida e' come quando si fa una crostata, tutti sanno gli ingredienti però ad alcuni esce bene ad altri una schifezza. Chi la fa bene sa esattamente l'ordine con cui miscelare gli ingredienti, il tempo che serve per impastare, la giusta lievitazione, i tempi esatti di cottura e magari usa strumenti (forno, impastatrici, camera di lievitazione, ecc.) milgiori degli altri, ed usa dei particolari accorgimenti che non tutti conoscono.

 

Per fare un'altro esempio più pertinente un po' è come l'overclock la stessa macchina in mano a persone diverse puo' dare risultati molto diversi.

 

Spero di essermi spiegato.

 

Vincenzo

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