Jump to content

KENTSFIELD....paura...


Maxxpower992

Recommended Posts

Comunque l'articolo originale in inglese parla di "Ultrahigh-frequency SiGe circuits", microcircuiti basati su un processo produttivo con wafer di 200-mm che sono capaci di lavorare a temperatura ambiente a 350 GHz. Quindi sembrerebbe proprio che si parli di microcircuiti capaci di raggiungere frequenze di lavoro di 350 GHz di clock a temperatura ambiente.

 

Se così fosse avrebbero trovato un nuovo materiale che supera di circa 10 volte i limiti oggi esistenti sui microcircuiti basati sui wafer di silicio: attualmente i microcircuiti utilizzati nel processo produttivo delle moderne CPU non riescono a lavorare oltre i 4-5 GHz di clock.

 

Purtroppo sembra che il costo del materiale e delle lavorazioni sia basso ma non sufficientemente da giustificarne un uso nell'elettronica di consumo. Infatti i circuiti SiGe inizialmente saranno utilizzati in ambito militare, spaziale e per le telecomunicazioni.

 

eh, maledetti militari!! ahaha...

a parte scherzi, ma non ho capito, questo SiGe è il wafer o è il materiale dei microcircuiti?

 

Marco

Link to comment
Share on other sites

Potrebbe essere il materiale con cui rifaranno il cervello dei militari per farlo funzionare più velocemente ... :2funny: :2funny: :2funny:

 

Provo a richamare in memoria vecchie reminiscenze degli studi fatti, che visto il tempo che è passato, sono ormai molto confuse.

 

Il wafer dovrebbe essere il substrato di silicio su cui sono impressi circuiti elettrici, diodi e transistor, ovvero tutti i componenti che costituiscono i circuiti integrati.

 

In questo caso per costruire il wafer hanno utilizzato silicio e germanio da cui il nome SiGe che è la concatenazione del nome chimico dei due componenti (SI e Ge) ottenendo così il risultato che è stato pubblicato nell'articolo.

 

Vincenzo

 

ahaha...magari..ma è dura!!! :2funny:

 

comunque ho capito ora! grazie mille!

 

Marco

Link to comment
Share on other sites

ottima guida....nn alla portata di tutti, ho avuto alcune difficoltà a capirle (nn sono praticissimo in elettronica ma qualcosina mi hanno insegnato all'uni in fisica elettronica) ma alla fine dovrei aver capito il processo produttivo.

 

L'unica cosa che nn capisco è questa, se il SiGe fino ad ora lo usavano come interstrato per dare una componente di stress ..quindi più mobilità al silicio puro...com'è che ora vogliono fare tutto con sto SiGe?

Nel senso... fino ad ora nn avevano scoperto che sto SiGe aveva queste fantastiche proprietà? Cioè...fino ad ora lo usavano tipo "colla" e ora lo vogliono usare per creare in toto il wafer?

 

???

 

Marco

Link to comment
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

×
×
  • Create New...