Tramite un comunicato ufficiale, SK Hynix ha annunciato di aver introdotto DRAM DDR3L-RS, dove il suffisso RS sta per Reduced Standby, ovvero nella capacità di abbattere i consumi fino al 70% in standby.
I chip sono costituiti da un'architettura da 20nm e consentono un voltaggio operativo delle memorie di 1,35V. I moduli sono disponibili con densità da 2Gb (gigabit), 4Gb e 8Gb. Questi verranno integrati principalmente in sistemi mobile, come Ultrabook, notebook, telefonia e tutte quelle apparecchiature dove il consumo energetico figura tra le caratteristiche più importanti. Saranno forniti quindi banchi SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) da 2GB, 4GB e 8GB.
Jim Bum Kim, il responsabile marketing e della direzione commerciale di SK Hynix, ha dichiarato che grazie ai consumi ridotti e prezzi d'acquisto competitivi, il fornitore si espanderà in modo massiccio nella fascia bassa e media del mercato. Le previsioni indicano una copertura dei laptop dell'11% nel 2012 per poi salire al 39% nel 2014 e fino al 52% nel 2015.
