Il futuro dello storage secondo IBM, memorie PCM multi-livello
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Abbiamo già parlato di Phase Change Memory in occasione di una precedente news, in cui mostravamo il primo prototipo di SSD basato su questa tecnologia. La tecnologia PCM è estremamente promettente sia in termini di prestazioni (fino a 7 volte più veloce con file di piccole dimensioni degli attuali migliori SSD NAND Flash), sia, in futuro, in termini di costi di produzione). IBM annuncia oggi nuovi importanti progressi con questa tecnologia, che permetteranno di immagazzinare più bit all’interno della stessa cella di memoria. Per capire come i ricercatori IBM, in collaborazione con il centro di ricerca del Politecnico di Zurigo, siano riusciti ad introdurre celle di tipo multi-livello, occorre prima ricordare il funzionamento della tecnologia PCM.
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Abbiamo già parlato di Phase Change Memory in occasione di una precedente news, in cui mostravamo il primo prototipo di SSD basato su questa tecnologia. La tecnologia PCM è estremamente promettente sia in termini di prestazioni (fino a 7 volte più veloce con file di piccole dimensioni degli attuali migliori SSD NAND Flash), sia, in futuro, in termini di costi di produzione). IBM annuncia oggi nuovi importanti progressi con questa tecnologia, che permetteranno di immagazzinare più bit all’interno della stessa cella di memoria. Per capire come i ricercatori IBM, in collaborazione con il centro di ricerca del Politecnico di Zurigo, siano riusciti ad introdurre celle di tipo multi-livello, occorre prima ricordare il funzionamento della tecnologia PCM.
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