MOSFET MicroFET da 20V
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San Jose, California – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) offre ai progettisti di apparecchi portatili un MOSFET MicroFET da 20V di soli 2x2x0,55mm d'ingombro caratterizzato dal valore RDS(ON) più basso del settore. Il dispositivo FDMA6023PZT è un MOSFET dual P-Channel costruito in un package compatto e sottile che risponde alle esigenze tipiche dei sistemi portatili che richiedono tecnologie in grado di prolungare il più possibile l'autonomia delle batterie. Il MOSFET FDMA6023PZT è offerto in un package MicroFET ultra-sottile con lead-frame a vista, contraddistinto da eccellenti livelli di efficienza termica e capacità di dissipazione oltre che da perdite di conduzione limitate rispetto ai MOSFET convenzionali.
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San Jose, California – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) offre ai progettisti di apparecchi portatili un MOSFET MicroFET da 20V di soli 2x2x0,55mm d'ingombro caratterizzato dal valore RDS(ON) più basso del settore. Il dispositivo FDMA6023PZT è un MOSFET dual P-Channel costruito in un package compatto e sottile che risponde alle esigenze tipiche dei sistemi portatili che richiedono tecnologie in grado di prolungare il più possibile l'autonomia delle batterie. Il MOSFET FDMA6023PZT è offerto in un package MicroFET ultra-sottile con lead-frame a vista, contraddistinto da eccellenti livelli di efficienza termica e capacità di dissipazione oltre che da perdite di conduzione limitate rispetto ai MOSFET convenzionali.
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