Intel festeggia i 60 anni del transistor
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Il 16 dicembre Intel festeggerà i 60 anni del transistor. Il primo transistor funzionante fu realizzato da Brattain, Shockley e Bardeen il 16 dicembre 1947 nei laboratori della Bell sfruttando un cristallo di Germanio. Il primo modello di transistore era a punte di contatto e differiva dall'ttuale transistor a giunzione realizzato nel 1951.
Ecco una replica del primo transistore:
In questi anni il transistor ha subito una progressiva miniaturizzazione se guendo la nota legge di Moore che prevedeva un raddoppi del numero di transistor per centimetro quadrato ogni 2 anni. Attualmente intel sta producendo processori con tecnologia a 45 nm e rivoluzionando il transistor MOSFET introducendo nel gate al posto dell'ossido di silicio due nuovi materiali:
- un isolante ad alto coefficiente dielettrico (high-K dielectric) basato su di uno specifico elemento chimico che é l'afnio (Hafnium Hf) e responsabile della riduzione delle perdite di corrente e quindi dei minori consumi dei nuovi processori
- un layer metallico, realizzato con un materiale sul quale Intel mantiene il riserbo che ha sostituito il gate in silicio.
Già da tempo inoltre Intel e Ibm stanno studiando processi produttivi a 32nm, la legge di Moore avrà quindi validità ancora per qualche hanno finchè i limiti della fisica non freneranno la frenetica evoluzione dell'industria dei semiconduttori.
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Il 16 dicembre Intel festeggerà i 60 anni del transistor. Il primo transistor funzionante fu realizzato da Brattain, Shockley e Bardeen il 16 dicembre 1947 nei laboratori della Bell sfruttando un cristallo di Germanio. Il primo modello di transistore era a punte di contatto e differiva dall'ttuale transistor a giunzione realizzato nel 1951.
Ecco una replica del primo transistore:
In questi anni il transistor ha subito una progressiva miniaturizzazione se guendo la nota legge di Moore che prevedeva un raddoppi del numero di transistor per centimetro quadrato ogni 2 anni. Attualmente intel sta producendo processori con tecnologia a 45 nm e rivoluzionando il transistor MOSFET introducendo nel gate al posto dell'ossido di silicio due nuovi materiali:
- un isolante ad alto coefficiente dielettrico (high-K dielectric) basato su di uno specifico elemento chimico che é l'afnio (Hafnium Hf) e responsabile della riduzione delle perdite di corrente e quindi dei minori consumi dei nuovi processori
- un layer metallico, realizzato con un materiale sul quale Intel mantiene il riserbo che ha sostituito il gate in silicio.
Già da tempo inoltre Intel e Ibm stanno studiando processi produttivi a 32nm, la legge di Moore avrà quindi validità ancora per qualche hanno finchè i limiti della fisica non freneranno la frenetica evoluzione dell'industria dei semiconduttori.
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hai presente una cpu con 500m di quei cosi lì?? un palazzo da 6 piani diventerebbe ahahahahhaha
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apix_1024 ha scritto:
hai presente una cpu con 500m di quei cosi lì?? un palazzo da 6 piani diventerebbe ahahahahhahaE tu pensa che il principio di funzionamento è sempre quello dell'esemplare in figura...
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Incredibile però.
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SACD ha scritto:
E tu pensa che il principio di funzionamento è sempre quello dell'esemplare in figura...lo zo :n2mu: ed è per questo che dico anche i transistor hanno rivoluzionato il nostro mondo!
Ciao! Sembra che tu sia interessato a questa conversazione, ma non hai ancora un account.
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