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DDR2 1066 e migliori Roundup: 6 moduli a confronto - Riassunto Kit in Prova 2/2

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I  produttori per poter garantire frequenze elevate e timing  spinti hanno agito in vari modi:


•    Incrementato il voltaggio di alimentazione dai 2.10-2.20 V (utilizzati nei moduli PC 6400 o PC 8000), fino a 2.3-2.45 V dei moduli in prova,

•    Migliorando la circuiteria e in alcuni casi adottando un PCB a 8 strati che permette di distribuire al meglio le piste dei circuiti negli strati del PCB riducendo al minimo i cosiddetti “crosstalk”, ovvero le intersezioni delle piste dei circuiti, con un effetto benefico sulla integrità e sulla precisione dei segnali,


•    Programmazione del EPP che incide  sulle performances e sulla possibilità di overclock dei moduli.
I test con voltaggi superiori ai 2,65 v abbiamo deciso di non pubblicarli, ma riassumiamo il comportamento dei chip a voltaggi elevati.

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Micron D9GMH (B6-3):
  Montati sulle memorie OCZ, Mushkin e Corsair: L’incremento di prestazioni si ha fino @ 2,70-2,75 V (ma molto limitate rispetto ai 2,65 v si tratta di al massimo 8-10 Mhz), oltre ai 2,8-2,85 V spesso si ha cool-boot.
Micron D9GCT (B6-37E): Montati sulle memorie GEIL: L’incremento di prestazioni si ha fino @ 3,00 V e oltre (l’incremento è notevole ad esempio con timing 3-3-3-4 siamo passati dai 500 Mhz con 2,65 v a oltre 520 Mhz con 3,00 V), oltre i 3,0 V non si hanno incrementi.
Micron D9GKX (B6-25E): Montati sulle memorie Kingston e Gskill. L’incremento di prestazioni si ha fino @ 3,10-3,20 V (come nel caso dei chip GCT l’incremento è notevole),ma da 3,0 V a 3,20 V l’incremento è limitatissimo (1-2 Mhz) anche a causa del elevato calore sviluppato a questi voltaggi.


 

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