IBM ha sviluppato una nuova tecnologia per la produzione di memorie su più livelli con tecnologia Through-Silicon Vias. Questa tecnologia utilizza dei tunnel verticali nel silicio per interconnettere i transistor su più livelli, permettendo di ottenere prestazioni senza precedenti.
La nuova tecnologia 3D a 32nm High-K permette infatti di ottenere memorie fino a 15 volte più veloci, che consumano il 70% in meno e che permettono di ridurre l'occupazione di silicio fino a 10 volte.
Il primo prototipo prodotto da Micron con questa tecnologia raggiunge una bandwidth di ben 128GB/s contro i 12.8GB/s attuali. Micron ha infatti annunciato che introdurrà moduli RAM basati su questa tecnologia, con chip prodotti nelle fonderie IBM. I nuovi moduli potranno essere adottati in sistemi in cui la bandwidth di memoria diventa un fattore critico, ma grazie alle dimensioni e ai consumi ridotti potrebbero essere adottati anche in sistemi mobile.
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I nuovi Hyper Memory Cube promettono di rivoluzionare le capacità di molti dispositivi e quando un colosso come Micron decide di investire in questa direzione possiamo star sicuri che nel giro di pochi mesi faranno la loro comparsa nei nostri dispositivi e nei nostri sistemi.
Redazione XtremeHardware
