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Tra le tecnologie che ambiscono a rimpiazzare le tradizionali memorie flash c'è la RRAM (Resistance Random Access Memory) che, al pari di rivali come MRAM e phase-change, è in incubazione da uno svariato numero di anni. Di recente Sharp ha annunciato di aver sviluppato, in collaborazione con l'istituto di ricerca giapponese NIAIST, una tecnologia che le permetterà di costruire chip di memoria RRAM non volatili con velocità fino a 100 volte maggiori rispetto a quelle di una memoria flash. Come nel caso delle tecnologie MRAM e phase-change, le memorie RRAM promettono di essere più veloci, economiche e affidabili nel tempo rispetto alle flash. Il principio di funzionamento di questo tipo di memoria si basa sull'utilizzo di un materiale multistrato capace, quando viene applicata una certa tensione, di cambiare la propria resistenza elettrica: tali cambiamenti vengono utilizzati per codificare i singoli bit, 0 e 1, e memorizzare i dati. Nei primi prototipi di RRAM mostrati da Sharp il cambiamento di resistenza avviene in meno di 100 nanosecondi applicando una tensione di 5 volt. Sharp afferma che le RRAM hanno potenzialità enormi, ma fino ad oggi la loro implementazione si è dimostrata una vera e propria sfida tecnologica. Grazie alla tecnologia messa a punto con NIAIST, l'azienda sostiene di poter sviluppare chip RRAM con circuiti assai più semplici rispetto al passato e utilizzando processi di fabbricazione convenzionali. Il produttore giapponese non ha fatto previsioni, ma l'impressione è che le prime memorie RRAM non arriveranno in commercio prima del prossimo decennio. Nel frattempo Freescale ha già introdotto sul mercato le prime memorie MRAM e, entro i prossimi due anni,Samsung conta di commercializzare la propria implementazione della tecnologia phase-change. Fonte: Punto Informatico