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  1. con l'uscita delle DDR3 avevo bisogno di farmi un po' di chiarezza, visto che non si parla molto spesso delle differenze tra questi standard e di quali sono le effettive frequenze di lavoro. i primi dubbi mi sono sorti con cpu-z che come noto rileva metà della frequenza dichiarata delle ram se le nostre ram stanno lavorando a ddr2-800 in cpu-z viene rilevata la frequenza di 400mhz. cosa analoga per ddr e ddr3 Ciò accomuna tutti e tre gli standard e fa riferimento alla sigla DDR che sta per Double Data Rate. Il double data rate non è altro che un sistema che sfrutta entrambi i fronti (quello di salita e quello di discesa) di un ciclo di clock per trasmettere informazione tra le ram e il chipset (o meglio il memory controller che in alcuni casi si trova nella cpu come in amd e nei futuri nehalem). Quindi se il nostro banco sta lavorando a ddr2-800 (questi valori sono di solito impostabili da bios) il clock di comunicazione tra ram e MCH (memory controller hub) avrà una frequenza di 400mhz. Quindi gli 800 MHz delle ram non sono in realtà Megahertz ma MegaTransfer al secondo (MT/s), ossia bit trasmessi in un secondo per ogni pista del bus. Questo spiega che cpu-z rileva l'effettiva frequenza di clock ossia metà della "sigla". I bus memoria-MCH sono a 64bit ossia hanno 64 "piste" o collegamenti, da cui possiamo ricavare la banda passante o la velocità di trasferimento teorica delle ram: B=800MT/s*64bit=21,200Mbit/s poichè 8bit =1byte B=21200/8=6400 MB/s che è anche l'altra sigla che contraddistingue le DDR2-800: PC2-6400 Tutto ciò vale anche per DDR e DDR3 se non per il fatto che le sigle iniziano per PC-XXXX e PC3-XXXX Facciamo un esempio: le ddr400 sono anche chiamate PC-3200 e le ddr3-1333 sono chiamate PC3-10600 (arrotondando 10664) Cosa cambia dunque tra ddr ddr2 e ddr3 a parte la frequenza di I/O tra ram e MCH? Ciò che cambia è l'architettura interna dei moduli di memoria. Infatti mentre la frequenza di lavoro dei chip delle DDR è pari a quella di I/O del bus memorie-MCH, la frequenza interna dei chip delle DDR2 è pari alla metà di quella di I/O. Ciò è possibile suddividendo il lavoro per ogni ciclo di clok su due chip differenti in modo che uno sfrutta il fronte di salita e l'altro, sfrutta quello di discesa. La suddivisione viene realizzata con una specie di multiplexer e un buffer di prefetch che hanno l'immancabile inconveniente di aumentare le frequenze. Questo ha comunque permesso di aumentare le prestazioni delle ram poichè le frequenze di I/O sono maggiori a scapito di un aumento delle latenze. Con il passare del tempo e della tecnologia le latenze sono state ridotte e la frequenza di lavoro dei chip incrementata. Quando non è più stato possibile innalzare la frequenza di lavoro interna è stato sviluppato il nuovo standard DDR3 che non ha fatto altro che duplicare ciò che era stato già fatto per le DDR2. I dati su 4 fronti di clock consecutivi vengono suddivisisu 4 chip differenti in modo che la frequenza di lavoro interna sia un quarto di quella di I/O. Ciò implica un ulteriore multiplexer + interno con ulteriore buffer e quindi ulteriore aumento delle latenze rispetto alle ddr3. Ovviamente a parità di frequeza di chip interna, la frequenza di I/O è doppia rispetto alle DDR2 con latenze aumentate di circa il 50%. Questa parte dell'architetture interna mi è stata spiegata dal mio professore di sistemi di misura distribuiti e ve l'ho riferita così come l'ho capita, in rete di questo non si trova moltissimo ma comunque ho trovato conferma del fatto che la frequenza interna delle ddr2 sia la metà e quella delle ddr3 sia 1/4. La prima parte è invece presente anche su wiki. Per finire qualche accenno sul dual channel il cui significato probabilmente è stato spesso confuso con quello di Double Data Rate. Il dual channel è una configurazione che permette di accedere contemporaneamente a due periferiche (o alla cpu stessa) ai moduli di memoria a patto che essi siano costituita da coppie di moduli uguali. Non mi è ben chiaro in che modo ciò è realizzato, se non sbaglio comunque in linea di principio, mentre uno dei due moduli è sfruttato per trasmettere dati in lettura, l'altro è utilizzato in scrittura, duplicando in teoria l'I/O tra ram e MCH. In pratica i vantaggi del dual channel sono ridotti a piccoli incrementi percentuale nelle comuni applicazioni. Con l'avvento dell'architettura nehale mverrà introdotto il triple channel che vedrà 3 canali virtuali invece di 2 a patto di utilizzare tre banchi di memoria uguali. Viene da chiedersi se ciò porterà a qualche beneficio visto che già è poco sfruttato il dual channel. L'utilizzo di un memory controller integrato nella cpu nell'architettura nehalem potrebbe però cambiare le carte in tavola, quindi aspettiamo i primi test per capire gli effettivi benefici. Questo è tutto ciò che so. Se avete qualche cosa da aggiungere o modificare su questa mini-guida, sarò felice di farlo. Magari mi piacerebbe chiarire qualcosa sui divisori nel chipset anche se so che è un argomento piuttosto ostico ricordando i guai tra chipset 965 e 975...
  2. ciao a tutti vendo i seguenti componenti CoolerMaster CM Stacker STC-T01 Silver 100€ Cooler master cross flow 25€ Alimentatore Enermax NoisTaker 600W 50€ scheda Madre Dfi lanparty ut sli d 50€ Amd FX60 box 100€ Ram 2*1gb Gskill F12GBHZ 50€ Scheda Video asus gtx260 216core 65€ (venduta altrove) il tutto datato gennaio 2007 tranne la gtx 260 di un amico vendo ovviamente anche in blocco come pagamento accetto il pagamento anticipato con bonificopostagiro,ricarica postepay e anche ricariche vodafone spedizione con corriere inclusa nel prezzo, consegna in 24/48 ore ecco qualche foto: https://docs.google.com/folder/d/0Bz...FmalpTdjQ/edit
  3. Nella scorsa giornata, Corsair ha annunciato una nuova linea di dischi SSD ad alte prestazioni, chiamata Force GS. Facente parte della stessa famiglia SSD Force, il colore principale, rosso, rimane immutato rispetto ai modelli Force GT.
  4. La guida che segue nasce dall'esigenza personale di fugare i dubbi sul funzionamento delle RAM di tipo SDRAM DDR e DDR2 (che sono quelle attualmente utilizzate) e dei principali timings associati. La guida è stata scrita cercando di fare un compendio delle varie informazioni trovate qua e la in giro sulla rete e soprattutto studiando i datasheet dei costruttori di memorie che sono sull'argomento una miniera di informazioni. C'e' da dire che per leggere i datasheet ho dovuto rispolverare tutte le vecchie nozioni di elettronica ormai abbandonate dai tempi dell'università (che ahimè sono lontani), e quindi ho cercato di mettere in maniera più semplice possibile le cose capite ed elaborate a partire dai datasheet. La guida cerca di spiegare il funzionamento delle DDR SDRAM (anche per le DDR2 valgono tutti i ragionamenti fatti) e dei principali timings che si trovano nei bios delle schede madri più evolute (per es. DFI). Chi avrà tempo e voglia di leggere i datasheet dei costruttori delle memorie e quelli dei controller di memoria (io mi sono basato sul controller AMD integrato nel processore) vedrà che i timings che regolano il funzionamento delle RAM e del controller di AMD nella realtà sono un miriade e che solo i principali sono presenti nei bios delle motherboard. Naturalmente nello spirito del forum sono a disposizione per recepire osservazioni/precisazioni/commenti, e naturalmente sono a disposizione di tutti coloro che hanno bisogno di chiarimenti e vorrebbero reperire del materiale per studiare in maniera più approfondita quanto riassunto in questa guida. INIZIO DELLA GUIDA 1. Introduzione Lo scopo del presente tutorial è quello di comprendere i timings che regolano il funzionamento delle moderne memorie DDR SDRAM. Per raggiungere questo scopo è necessario capire le modalità di funzionamento della memoria e in particolare come sono effettuate le operazioni elementari come la lettura e la scrittura dei dati. Saranno presi in considerazione dei modelli semplificati di funzionamento che sono adatti a descrivere compiutamente i timings delle memorie. Verrà utilizzato un linguaggio che sia il più semplice possibile e dei modelli semplificati che se da una parte consentiranno ad un numero maggiore di persone di comprendere gli argomenti trattati, dall'altra faranno storcere il naso agli utenti maggiormente esperti e a quelli più puristi: mi scuso anticipatamente con questi utenti. Tutte le considerazione fatte sui timings sono valide anche per le memorie DDR2 SDRAM visto che la loro architettura interna è comunque quella di una memoria SDRAM. L'unica differenza tra DDR e DDR2 consiste nella banda di uscita e verrà chiarita meglio nel seguito. 2. Indirizzamento in un modulo di memoria DDR SDRAM Logicamente i chip che costituiscono le memorie sono organizzati come degli array bidimensionali (matrici) che vengono acceduti specificando un indirizzo di riga ed un indirizzo di colonna. Ciascun elemento della matrice contiene una cella elementare di memorizzazione. Pertanto per accedere un dato contenuto in una data cella di memoria bisogna fornire due indirizzi uno di riga ed uno di colonna, e quindi se suppongo di avere una memoria che è composta da un array bidimensionale (matrice) di 8192 righe e 1024 colonne avrò bisogno di: • 2^13=8192 di un indirizzo di13 bit per indirizzare ciascuna delle righe presenti nella matrice • 2^10=1024 un indirizzo di 10 bit per indirizzare ciascuna delle colonne presenti nella matrice In totale avrò bisogno di un indirizzo composto da 13+10=23 bit per indirizzare correttamente il contenuto di una cella di memoria. In altre parole questo significa che dovrei fornire al chip di memoria 23 linee che consentano di trasportare l'indirizzo con cui si individua una cella elementare di memoria. Primo espediente che viene utilizzato nelle moderne memorie DDR SDRAM invece di utilizzare 23 linee che consentano di trasportare l'indirizzo, se ne utilizzeranno solo 13 che rappresentano le linee necessarie per poter indirizzare le righe. Per indirizzare le colonne utilizzerò le stesse linee ma in tempi diversi: prima sarà trasferito l'indirizzo della riga da cui si vuole leggere il dato e subito dopo sarà trasferito l'indirizzo della colonna utilizzando (nell'esempio fatto) solo 10 delle 13 linee di indirizzo disponibili. Ecco il motivo per cui ho bisogno il segnale di RAS (Row Address Select) e il segnale di CAS (Column Address select), questi segnali servono per far capire al controller della memoria che quello che sto passando è un indirizzo di riga oppure di colonna. Pertanto qualsiasi accesso alla memoria per fare una qualsiasi operazione prevede in sequenza il segnale di RAS seguito dall'indirizzo di riga ed il segnale di CAS seguito dall'indirizzo di colonna. Ma perchà© si è complicato il meccanismo di indirizzamento della memoria passando l'indirizzo completo in due tempi? La spiegazione è molto più semplice di quanto si creda: si vogliono risparmiare delle linee di indirizzo per consentire una miniaturizzazione più spinta e quindi per consentire di avere maggiori quantità di memoria in parità di spazio. Nella microelettronica quando si deve portare qualche linea elettrica al di fuori del chip sorgono sempre grossi problemi, infatti questo costituisce uno dei maggiori impedimenti da superare nella progettazione di un qualsiasi chip miniaturizzato. A questo punto facciamo un accenno alla metodologia utilizzata per memorizzare i dati all'interno di una cella di memoria. Sostanzialmente viene utilizzato un circuito elettrico che può essere schematizzato come un condensatore che può essere caricato o scaricato, attribuendo ai due stati elettrici del condensatore i valori binari 0 ed 1 ecco fatto che avrò un circuito in grado di memorizzare dei dati al proprio interno. Il tutto può essere schematizzato nel seguente modo: Questo circuito rappresenta un buon risultato dal punto di vista della miniaturizzazione perchè utilizza un numero minimo di componenti, però ha un inconveniente che è quello di tutti i condensatori e cioè che passato un certo tempo tende a perdere la sua carica elettrica di fatto perdendo il contenuto informativo contenuto in esso. Per ovviare a questo inconveniente si ricorre al refresh che consiste nell'accedere (dando quindi tensione alla cella elementare), ad intervalli di tempo regolari (refresh time), il contenuto di ogni cella mantenendo inalterati i dati originali. Così è possibile mantenere i dati all'interno della DRAM per un tempo indeterminato. Il refresh viene anche effettuato in corrispondenza di ciascuna operazione di lettura/scrittura in memoria. 3. Densità e banchi in un chip di memoria I chip di memoria più diffusi sono quelli da 4, 8, e 16 bit (più raramente 32 bit). Quindi un chip di 512 Mbit di memoria può essere composto fino a 128M con celle a 4 bit, 64M con celle a 8 bit, oppure 32M con celle a 16 bit, le corrispondenti notazioni sono 128M * 4, 64M * 8, e 32M * 16. La prima cifra è chiamata depth (profondità ) di un chip di memoria ed è una quantità adimensionale, la seconda è chiamata width (ampiezza) ed è espressa in bit. Ciascun chip di memoria è caratterizzato da una densità (profondità * ampiezza) ed è organizzato in banchi (di solito 4 e più raramente 2). Quindi la densità indica la quantità di celle elementari memoria presenti in un chip e le linee dati in uscita (I/O) del chip, per esempio: • 64 Mbit * 8 significa che il chip di memoria è da 512 Mbit (densità ) e che in uscita vengono utilizzate linee dati di I/O con ampiezza di 8 bit ; • 32 Mbit * 16 significa che il chip di memoria è da 512 Mbit (come prima) e che in uscita vengono utilizzate linee dati di I/O con ampiezza di 16 bit; Se il chip è organizzato in 4 banchi avrò all'interno del chip 4 matrici di 128 Mbit ciascuna ovvero utilizzando gli stessi esempi di prima: • avrò 4 matrici di 8192 * 1024 * 16 • avrò 4 matrici di 8192 * 512 * 32 Dagli esempi fatti si nota che se l'uscita del chip è di n bit allora ogni elemento delle matrici di memoria conterrà 2 * n bit, questo è dovuto al fatto che l'architettura delle memorie DDR SDRAM utilizza un'architettura del tipo Double Data Rate (DDR appunto), che è essenzialmente un'architettura con un tipo d'interfaccia progettata per trasferire due data words per ogni ciclo di clock nei pin di I/O. In una memoria DDR SDRAM un singolo accesso in lettura/scrittura consiste effettivamente di un trasferimento interno al chip di un singolo dato che contiene 2n-bit per ciascun ciclo di clock, e corrisponde sui pin di I/O a due dati che contengono ciascuno n-bit, in cui ciascun dato viene trasferito ogni mezzo ciclo di clock (un dato viene trasferito sul fronte di salita del clock e un altro dato sul fronte di discesa). In altre parole con un unico ciclo di clock vengono accedute e rese disponibili due data words, mentre nelle vecchia memorie SDRAM con un ciclo di clock veniva acceduto e reso disponibile un solo data word, quindi in generale a parità di frequenza di clock la banda delle DDR SDRAM è doppia rispetto a quella delle normali SDRAM. L'organizzazione in banchi implica che avrò bisogno di ulteriori bit di indirizzo per indirizzare uno dei quattro banchi presenti in ciascun chip, che vengono chiamati segnali di Bank Address (BA). Per riassumere quanto detto si può considerare il seguente schema logico di un chip di memoria: Nella realtà le cose sono molto più complicate, però questo schema riassume i concetti principali che concorrono alla lettura/scrittura di valori all'interno di un chip di memoria. Sono presenti i seguenti elementi: 1) i segnali di indirizzamento: a) i segnali di Bank Address BA0 e BA1 che servono a indirizzare uno dei 4 banchi di memoria presenti all'interno del chip; b) i segnali di Address da A0 a A12 che consentono di indirizzare le celle di memoria all'interno di ciascun banco. 2) i segnali di controllo: a) CS (Chip Select) che serve a selezionare/deselezionare il chip di memoria; b) WE (Write Enabled) che serve ad abilitare/disabilitare la scrittura in questo chip di memoria; c) CAS (Columns Address Select) che è il segnale che precede gli indirizzi di colonna; d) RAS (Row Address Select) che è il segnale che precede gli indirizzi di riga. 3) DQ0-DQ7 che sono le linee di I/O del chip di memoria. L'organizzazione di un array di memoria SDRAM in banchi è stato introdotto principalmente per aumentare le performance, anzi per essere più precisi, per minimizzare le latenze del sistema. Infatti, il fatto di avere più banchi può consentire, per esempio, di accedere una riga in un banco mentre contemporaneamente si sta eseguendo un refresh un'altra riga in un altro banco. Oppure di organizzare i dati nella memoria in modo tale che il prossimo dato che sarà acceduto sarà nell'altro banco e nella riga di memoria che è stata appena refreshata ed è pronta per essere letta/scritta, risparmiando un ciclo di refresh (ricordiamo che tutte le operazioni di lettura/scrittura sono associate ad un ciclo di refresh). Questo metodo di accesso è detto bank interleaving. Per i più puristi e quelli più esperti riporto di seguito come nella realtà è l'architettura di un chip di memoria da 512 Mbit con densità 64 Mbit * 8: Lo schema è tratto da un data sheet di un chip di memoria commerciale di un noto produttore, chi vuole può divertirsi a capirlo in dettaglio. Comunque i concetti fondamentali sono quelli descritti nello schema semplificato prima presentato. 4. Granularità in un modulo di memoria Il concetto di granularità si riferisce al fatto che più chip di memoria con una qualsiasi densità possono essere collegati assieme in un layout di un PCB per formare un modulo di memoria di una capacità qualsiasi. Come già visto l'ampiezza di un chip è la capacità della sua interfaccia con il bus dati di I/O (un chip 64 Mbit * 8 ha ampiezza di 8 ovvero è capace a veicolare in I/O 8 bit alla volta). Considerando che i moderni controller di memoria hanno bus dati a 64 bit, bisogna assemblare assieme tanti chip di memoria tali che l'ampiezza totale veicolata in I/O corrisponda a quella dell'ampiezza del bus dati del controller. Quindi la composizione di un banco SDRAM di 64 bit richiede 16 chip con ampiezza * 4, 8 chip con ampiezza * 8, 4 chip con ampiezza * 16 cioè viene fatta riempiendo il bus dati del controller. Il rimanente parametro di capacità che è la profondità viene utilizzato per determinare la capacità totale del modulo fisico di memoria SDRAM. Per esempio un tipico modulo di 1GB di SDR/DDR/DDR2 SDRAM ha profondità di 1GB * 8 (bit/byte) / 64 bits = 128M. Quindi in questo caso il modulo è denotato come 128M * 64. C'è da dire che in un banco fisico di memoria posso ottenere la stessa capacità utilizzando chip che hanno profondità che è la metà di quella massima utilizzabile, così per esempio posso ottenere un modulo di 1GB utilizzando 8 chip 64M * 16 oppure utilizzando 16 chip 64M * 8. Nel primo caso si parla di memoria singl-bank (o single-rank), nel secondo caso di memoria dual-bank (o dual-rank). Le memorie dual-bank sono rappresentate con configurazioni che utilizzano 16 chip con ampiezza * 8, docve il primo banco è formato dai primi otto chip nel lato frontale del modulo e gli altri otto chip nel lato posteriore nel modulo di memoria. Naturalmente i moduli di memoria dual-bank di solito hanno maggiori latenze di accesso rispetto a quelli single-bank. Per i più esperti di seguito viene riportato un diagramma funzionale a blocchi di un layout PCB standard, preso da un datasheet di un noto costruttore, che rende l'idea di come i chip di memoria a 66 pin vengono collegati assieme per ottenere un modulo di memoria DDR SDRAM da 1 GB unbuffered a 184 pin: Notate come le linee dati di I/O sono 64 e il segnale di chip select consente di selezionare 8 banchi per volta.
  5. Ciao a tutti, come da titolo vendo questo kit da 2GB di ram Corsair XMS TWINX 2048 - 3500LL Pro,quelle con i led, le migliori sul mercato senza discussioni per quanto riguarda i timings e le frequenze (cas2-3-2-6) Nate in collaborazione tra corsair e asus sul modello di scheda madre A8N32Sli Deluxe sono le memorie che tengono i timings più bassi su una configurazione DDR tenendo senza problemi il cas2 alla frequenza di 438Mhz di fabbrica e con margini di overclock che ben potete immaginare. Poi penso che le conosciate già da soli. Purtroppo ho perso la fattura perchè erano state prese in america quando costavano oltre 400$ Le memorie sono perfettamente funzionanti, immacolate. Vendo queste memorie a 100€ +s.s. Precendenza consegna a mano Coda max 24 ore In vendita altrove Non accetto limate e per qualsiasi richiesta PVT
  6. ciao raga qualcuno sa dove posso spedire delle ddr xms in garanzia? visto che sono garantite a vita non bisogna dare lo scontrino vero?(l'ho perso :()
  7. Vendita veloce, se trovo acquirenti per tutto bene, altrimenti mi sa che non faccio niente...cosa vendo: 1. AMD X2 3800+ 939 Tray (garanzia presso utente di altro forum solito spacciare ultra proc...vedi firma) 2. DFI LanParty SLI-DR (completa di tutto, qausi tutti gli accessori ancora nuovi imballati...non penso servano presentazioni) 3. 2 x 512MB DDR V-Data -5B (ottimo compromesso prestazioni/prezzo, ottimi chip 5B..controllare sempre firma) 4. Kit Liquido Ybris FULL (il meglio per la dissipazione AMD...composto da: Ybris K11 Top 1 Plexy - staffa AMD 3 punti - Pompa Swiftech MCP655 - Radiatore Triventola X360 - tubi crystal) il tutto a 350 euriz, chi se lo piglia fa un affare (solo il kit a liquido costa 200 e passa...) 1. precedenza a mano 2. vendo solo il blocco 3. in vendita anche altrove 4. passibile di ritiro in qualsiasi momento, quindi affrettatevi. per qualsiasi info, contattatemi con pm. thanx
  8. OCZ, società specializzata in memorie per l'overclocking, ha appena annunciato la seconda edizione delle sue memorie Gold PC2 6400. Si tratta del rilancio di un prodotto già noto che ha avuto un discreto successo, e ora è pronto per una leggera revisione. OCZ venderà questa memoria con il nome di PC26400 Gold revision II GX e il kit da 2GB costerà $ 249,99 o meno. Qualche negozio potrebbe offrire uno sconto di circa $ 30 consentendo così di acquistare questa velocissima memoria al piccolo prezzo di 209-219 dollari. Si tratta di una vera memoria da videogiocatori che offre un timing 4-5-5-15, che corrisponde a prestazioni leggermente migliori rispetto alla prima versione. Le memorie PC2-6400 Gold Rev. 2 GX verranno vendute in coppie di due moduli uguali. I giocatori potranno sempre beneficiare della velocità della memoria, indipendentemente dal fatto che si usi un processore Intel o AMD, e giochi come Battlefield 2, Battlefield 2141, Crysis, oltre naturalmente al sistema operativo Vista, richiedono in modo pressante l'acquisto di un quantitativo di memoria superiore a 1GB. L'episodio uno di Half Life sotto Vista ha bisogno di qualcosa come 1,35GB per girare fluidamente. Ci abbiamo provato durante tutto weekend senza successo quindi potrebbe essere il momento di passare a 2GB di memoria. Fonte: The inquierer.it
  9. The 2005 was characterized by the switching from AGP motherboards to Pci-E motherboards. The 2006 will be the 2x1GB kits DDR2 year, for who makes the PC not only a typewriter! Those guys who likes to play to the latest games like Battlefield 2, Half Life 2, Doom 3, Fear and so on will need more and more amount of memories, and often 1024MB of DDR won’t be enough! Same stuff for who works with high-level CAD drawing or who works on pictures or movies! We don’t have to forget that in less than a year the new O.S. Microsoft VISTA will be in our homes, and we know that he’s going to eat our 1GB kit of memories!!! Last but not least we have to remind that even AMD is out with it’s new DDR2-ready platforms. Then the new Intel CPUs single core (6x1 series), dual cores (8x0 and 9x0 series) and the coming Conroe and Yonah CPUs will be running on the new 975x chipset that’s obligates us to mount DDR2 memories.
  10. OCZ PC-3500 Gold GX Edition, l’ultima aggiunta alla favolosa famiglia di ram per altissime prestazioni della OCZ. Queste OCZ montano il nuovissimo sistema di dissipazione del calore, l’XTC (Xtreme Thermal Convection)!
  11. Ciao a tutti, anche se ho pochi messaggi (per le mie referenze chiedete direttamente a Dj883u2 che mi conosce benissimo), metto in vendita il seguente blocco (Mobo+Cpu+Ram): MOBO --> ABIT AT8 32X socket 939 - ATI® CrossFire™ Xpress 3200 - ULI1575 chipset - Two X16 graphics links for high performance Crossfire configurations - ABIT µGuru™ Technology Questa Inscatolata con fattura datata 17/01/2007. CPU --> AMD Athlon 64 FX 60 Dual core 2.6 Ghz Cpu che non ha bisogno di presentazioni (nuova costa ancora 530 euro) RAM --> TEAM GROUP PC4400 DDR 550MHz -TXDR512M550HC25DC 2Gb in 4 banchi da 512 MB HERMES- CHIP SAMSUNG TCCD CAS Latency : 2.5-3-3-7 Operating voltage : 2.7v~2.9v for DDR550 PCB Board : 6 Layers PCB Speed : DDR 550MHV (PC4400) Type : 184-pin DDR SDRAM Error Checking : Non-ECC Queste Prezzo del blocco: 500 euro + s.s. REGOLE 1 - Preferenza assoluta al blocco 2 - Preferenza assoluta alla consegna a mano 3 - Materiale in vendita anche in altri forum e al di fuori degli stessi 4 - Mi riservo di ritirare il tutto in qualsiasi momento (vedi punto 3) GRAZIE
  12. ciao a tutti sto cercando un kit di memorie ddr 2x1Gb PC4000... se avete qualcosa da vendere o sapete ki posso contattare fatemi sapere! grazie! ciao ciao
  13. Come da titolo, Vendo il mio muletto composto da - Scheda madre QDI - AMD xp 1800 con dissipatore in alluminio. - 256MB ddr pc3200 - VGA INtel da 16MB(o 8MB... bho devo guardarci bene) AGP - hd IDE 10GB quantum (qui ci montavo l'os) - Hd MAxtor 250Gb sata in garanzia (Qui ci stavano tutti i dati) - Scheda audio 5.1 Trust - Scheda pci SATA ( ci attaccavo il 250gb) - Scheda ethernet 10/100 - Case Stile Nokia con ali da 200w mi sembra - Masterizzatore cd 4x (è da parecchio che non ci masterizzo... io lo usavo come lettore) BLOCCO: 110€ + ss REGOLE: Precedenza allo scambio a mano Precedenza al blocco. Pagamento ant. Rulezz in firm. Spedizione a rischio e pericolo dell'acquirente. PER IL MOMENTO VORREI NON SPEDIRE... E MAGARI NON SMEMBRARE
  14. vendo 2x512 mb v-data 400mhz latenza 2,5 ottimo per dual channel, vendo per passaggio a 2x1gb, scadenza garanzia 13.03.2007. in perfette condizioni comprensive di dissipatori. €85 spese a mio carico.
  15. Vendo Ati His Radeon X550 ddr 256mb pci-e,uscita DVI + TvOUT nuova mai usata,completa pertanto di scatola,cellophane ecc...al prezzo di 30€,su ebay si trova sulle 55€+ spedizione. Consegna a mano o altro...
  16. Come da titolo vendo queste bellissime ram, si tratta di due moduli DDR da 512mb cad. con i famosissimi e ormai introvabili chip TCCD 100% SAmsung. I moduli sono marchiati A-DATA Vitesta 566 Non hanno bisogno di presentazione per quanto riguarda le performance, i due moduli montano dei dissipatori, sui chip, di colore rosso per esaltare ancora di più la bellezza, questi moduli sono garantiti dal produttore a 285mhz ma arrivano e superano i 300mhz (600mhz ddr) con 2.75v e con timing abbastanza spinti 2.5 4 4 7. Sono ancora in garanzia e quindi fattura presso noto shop on-line. Garantisco come sempre il loro perfetto e inpeccabile funzionamento. Prezzo di entrambi i moduli: 115 euro + s.s. Condizioni di vendita: - Max serietà , postate solo se realmente interessati - Eventuali modifiche/cambiamenti di prezzo devono essere effettuate via PVT (vedi regolamento), pena la segnalazione al moderatore di turno - Pagamento anticipato su postepay o su C/C bancario - Non si accettano proposte di pagamento con contrassegno o postprova - Spese di spedizione a carico del destinatario che indicherà le modalità di spedizione - Code max 24h (meglio se confermate prima la risposta, evitiamo di perdere tempo) - In vendita anche su altri forum Per qualsiasi informazione sono a completa disposizione
  17. Vendo queste velocissime ram a 140€ spedite con raccomandata causa passaggio a 2gb con garanzia italiana in famoso shop online che inizia per tecn... Accetto pagamento postepay ed è prevista la consegna a mano con raletivo sconto!!!
  18. Due anni dopo l'introduzione delle prime memorie DDR2, questo standard supera finalmente quello DDR quale piattaforma più diffusa nel mercato delle soluzioni PC stando a quanto anticipato dall'istituto di ricerca DRAMeXchange. Nella primavera 2004, infatti, Intel ha introdotto le prime piattaforme chipset per processori Socket 775 LGA dotate del supporto ufficiale alla nuove tecnologia di memoria DDR2. La diffusione delle memorie DDR2 nelle piattaforme PC è stata quindi anche aiutata dal passaggio a questo standard avvenuto per le famiglie di processori AMD Athlon 64. Nel corso dello scorso mese di Maggio il produttore americano ha infatti presentato le proprie soluzioni Athlon 64 Socket AM2, dotate di memory controller compatibile con questa tecnologia di memoria. A differenza della rivale Intel, AMD utilizza per i propri processori un'architettura con memory controller integrato nel processore. Questo da un lato permette di ridurre la latenza di accesso in modo sensibile, ma dall'altro vincola all'utilizzo di una specifica tecnologia di memoria di sistema che sia compatibile con il processore utilizzato. A motivo della forte domanda di PC di questo periodo, caratterizzato sia dal ritorno alle scuole (il cosiddetto periodo "back to School") che dai preparativi per la ricca stagione di vendite natalizie, sembra essere al rialzo il costo delle memorie DDR2. DRAMeXchange segnala infatti un aumento sino all'8,8% del costo dei moduli DDR2 rispetto alla scorsa settimana, con previsioni di prezzi alti per tutto il mese di Settembre. Guardando al futuro delle tecnologie memorie, abbiamo più volte pubblicato informazioni sullo standard DDR3; Intel prevede, la prossima primavera, di presentare nuove piattaforme chipset dotate di supporto alle memorie DDR2 e a quelle DDR3, in modo molto simile a quanto avvenuto nel 2004 per le memorie DDR2. Entro la fine dell'anno, inoltre, Samsung inizierà la produzione dei primi moduli memoria DDR3 per i sistemi PC. Fonte: PCWorld. A voi le considerazioni. Ciao;)
  19. Come da titolo, vendo queste fantastiche Ram, le OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Platinum Rev 2 , penso non ci siano bisogno di spiegazioni. CARETTERISTICHE: Frequenza operativa: 400 MHz Timings: 2-2-2-5 @ 2.75v Tagli: 2 Banchi da 512MB Kit da 1GB (2x512 MB) ottimizzato per il Dual Channel Ottimizazione piattaforme A64 Si Range di tensione 2.6v - 2.9v Le ram montano i chip TCCD. Di base vanno a 200 a cas 2-2-2-5. Le ram reggono i 300 e oltre,chiaramente non garantisco nessun Overclok. Le ram sono garantite a vita da OCZ. Che dire oltre, ram spettacolari. Prezzo 140Euro spese comprese in j+3. REGOLE: 1)In vendita anche altrove. 2)Solo vendita, no scambi. 3)Rcarica Postepay. 4)Ritiro in qualsiasi momento. 5)Garantita consueta professionalità . Ciao
  20. Ciao a tutti, vendo 2*512mb ddr geil ultra-x con chip samsung tccd su brainpower pcb. garanzia tecnocomputer + garanzia a vita geil. perfette. salgono molte bene il overclock (sono arrivato a 320 di + non ho provato). tengono anche il cas 1,5 fino a 220. prezzo: 150 € postate solo se interessati all'acquisto, evitate commenti inutili.
  21. ciao a tutti! vendo (causa passaggio a sistema superiore grazie a "un cappuccino per un pc") il mio attuale notebook. è praticamente nuovo, perfettamente funzionante, ancora 22 mesi di garanzia. lo vendo a 900 euro trattabili. ecco le caretteristiche dettagliate: Notebook CDC PREMIUM 5769DW equipaggiato con il microprocessore AMD Athlon 64 Mobile 3400+, 1 MB di cache L2 . Memoria RAM pari a 1024 MB su moduli Sodimm DDR 400MHz Hard disk da 80 GB 5400rpm associato al masterizzatore DVD-Dual in grado di leggere, scrivere e ri-scrivere supporti CD-R/RW, DVD-R/RW e DVD+R/RW. Sezione grafica composta dalla scheda video ATI Mobility Radeon 9700 con 128 MB di memoria dedicata e dal monitor TFT da 15,4" wide screen con risoluzione di 1280 x 800 pixel a 16,7 milioni di colori. Collegamenti con le periferiche esterne garantiti dalla presenza di una porta parallela, una porta IEEE-1394 FireWire e di tre porte USB 2.0. Connettività assicurata dla modem interno analogico e dalla scheda di rete LAN Ethernet 10/100 integrata on-board e dalla sxheda WiFi con standard 802.11 b/g. CDC PREMIUM 5769DW è un notebook adatto a tutti gli utenti appassionati di multimedialità . Il grande schermo wide-screen unito alla scheda video Radeon 9700 lo rendono particolarmente adatto alla visualizzazione di DVD e ai videogiochi più esigenti. Sistema operativo Windows XP Home Edition Processore tipo AMD Athlon 64 Mobile Modello 3400+ Memoria cache di livello 2 1024 KB Memoria RAM installata 1024 MB Memoria RAM tipo moduli DDR SODIMM 400 Capacità hard disk drive 80 GB Numero Hard Disk installati 1 Tipo di Hard Disk Parallel ATA Velocità di rotazione 5400 RPM Tipo drive ottico Mast. DVD int/multistand. (+ e -) Supporti compatibili in Scrittura DVD-R, DVD+R, DVD-RW, DVD+RW, CD-R, CD-RW Lettore/Scrittore memory card MMC Tipo schermo matrice attiva TFT Dimensioni dello schermo/display 15,4 POLLICI Risoluzione dello schermo massima 1280 x 800 PIXEL Uscita video esterno TV+VGA Scheda video Ati Mobility Radeon 9700 Memoria video (RAM-video) 128 MB Memoria Condivisa No Scheda audio (tipo) AC97 Altoparlanti Integrati Si, 2 Porte I/O (Numero e Tipo) 1 Parallela,3 USB 2.0,1 IEEE 1394 Firewire,1 VGA D-Sub 15 pin,1 S-Video,1 Line In MIC,1 RJ-11 Modem,1 RJ-45 LAN,1 Line Out Audio Slot PCMCIA (numero e tipo) 1 tipo II Porta infrarossi (IRDA) si Tastiera (tipo) Italiana Dispositivo di puntamento Touch-pad Modem PSTN interno Velocità di trasmissione del modem 56 KBPS Tipo di Interfaccia Rete LAN si, 10/100 Mbps Tipo di Interfaccia Rete WLAN 802.11b/g Interfaccia Bluetooth integrata No Tipo di batteria ioni di litio (L-Ion) Autonomia Max Batteria Idle Mode 2 ORE Dimensioni in cm (LxAxP) 35,8 x 4 x 27,5 cm
  22. Ebbene si.. mi sono arrivate questa mattina dall'america!!! Sono contentissimo, ora mi cibo un po' e poi al lavoro!!! Non vedo l'ora di alzare questo benedetto FSB a livelli DEGNI E poi nuovi valori nei vari test!!
  23. Ciao a tutti, come da titolo vendo: OCZ DDR Booster nuovo tornato da RMA più garanzia fino al 03/06/07 presso shop romano. Prezzo: 28€ venduto fuori dal forum 2x512 Twinmos Speedpremium Pc3500 New BH5+Thermaltake Memory Heat Spreader in garanzia presso questo shop fino al 18/05/07. Prezzo: 100€ vendute fuori dal forum Regole: - Precedenza consegna a mano - In vendita su altri forum - Evitiamo prezzi al ribasso - Non scambio
  24. Ragazzi ho vinto l'asta x queste simpatiche memorie, a presto inizierò anchio a fare un po' più sul serio, per farlo però ho bisogno di uno zalman 7700 e di un buon alimentatore si accettano consigli per gli acquisti.
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