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Dopo le HyperX Predator, in test nella nostra redazione, Kingston rilascia un altro kit di memorie per CPU Intel Ivy Bridge e Sandy Bridge-E. Si tratta delle HyperX Beast che si distinguono dalla HyperX Predator per una colorazione nera ed un dissipatore più aggressivo. Le HyperX Beast sono caratterizzate dalla presenza di moduli da 8GB con frequenze davvero ragguardevoli per DIMM di questa capacità.

Exceleram ha annunciato nuovi moduli e kit dual channel di memoria RAM DDR3, della serie X, con capacità fino a 8 GB e con chip Hynix CFR.

I nuovi kit di memoria AVEXIR della serie Core in versione MSI MPOWER, le avevamo già annunciate nei giorni scorsi, ma da quest'oggi sono disponibili sul sito http://www.newegg.com/Product/ProductList.aspx?Submit=ENE&DEPA=0&Order=BESTMATCH&N=-1&isNodeId=1&Description=MSI+MPOWER&x=0&y=0">Newegg.com.

Qualche mese fa abbiamo già avuto modo di provare il kit AVEXIR Core AVD3U21330904G-2CI, dotato di un sistema di illuminazione LED particolare. La stessa azienda ha annunciato la prossima introduzione di un kit in versione MSI MPOWER Edition, per schede madri dotate del chipset Intel Z77.

Patriot ha annunciato nuovi kit di RAM DDR3 Intel Extreme Memory Masters Limited Edition, dedicati ai videogiocatori per le piattaforme Intel con processori di seconda e terza generazione.

Mushkin, noto produttore di soluzioni di memoria per PC e non solo, annuncia l'introduzione di un nuovo kit di RAM DDR3 della famiglia Redline.

Prolimatech sta per rilasciare una variante del suo dissipatore Genesis, recensito dalla nostra redazione, in colorazione nera: il Genesis Black Series. La caratteristica del dissipatore Genesis è quella di avere un design asimmettrico, con due torri di raffreddamento perpendicolari una con l'altra. La presenza della ventola posizionata sulla torre parallela alla scheda madre, consentirà di raffreddare anche ulteriori componenti come la circuiteria VRM e le RAM.

Per la serie Vengeance, Corsair immette un nuovo kit di memoria da 16 GB dual channel (2 x 8 GB), con nome in codice CMZ16GX3M2A1600C9.

Corsair Dominator Platinum

Corsair rilancia la propria linea di memorie volatili di alta gamma, con l'introduzione della serie Dominator Platinum, dedicate agli utenti più esigenti come overclockers o modders. Fin dalla prima serie di memorie RAM Dominator, Corsair ha offerto prodotti molto validi, che sono stati apprezzati particolarmente nel settore overclock, grazie alle ottime prestazioni ed all'elevata affidabilità,

Taipei, Taiwan, 16 Maggio, 2012 - ADATA Technology Co., Ltd annuncia una nuova proposta nella propria gamma di memorie DDR3 XPG™ Xtreme Series con i kit dual channel DDR3-2133X da 8GB e 16GB. Queste nuove memorie della famiglia XPG™ Xtreme Series soddisfano appieno le sempre più esigenti richieste degli utenti appassionati in termini di memorie DRAM di elevata capacità in grado di assicurare prestazioni altrettanto elevate. Le nuove memorie ADATA XPG Xtreme Series DDR3-2133X operano alla frequenza di clock di 2133 MHz, in abbinamento a tensione di alimentazione di 1.65V con timings pari a 10-11-11-30, permettendo di raggiungere una band-with teorica sino a 34,1GB al secondo.

Ciao a tutti, riceverò tra pochi giorni un computer con queste caratteristiche: -Processore intel core quad q8400 2.66ghz -scheda madre asus p5p43td pro -Ram 2gb transcend ts256mlk64v3u Scheda video 6770 vapor Hd 465gb hitachi hdp725050gla360 Case cooler master nero Monitor samsung syncmaster 2232bw In pratica devo raggiungere un minimo di 4 gb di ram, inoltre vorrei anche overcloccare il tutto a breve, quindi chiedo a voi riguardo alla scelta della ram, in quanto leggendo dal sito dell'asus non ci ho capito molto, alla voce "Memory" si trova scritto: " 4 x240-pin DIMM, Max. 16 GB, DDR3 1600(O.C.)/1333/1066/800 Non-ECC,Un-buffered Memory Dual Channel memory architecture * Supports one DIMM per channel only when overclocking to 1600MHz. " Voi cosa mi consigliate di fare? Acquistare altri 2 gb lasciando anche i 2 gb presenti, o prendere direttamente della nuova ram togliendo quella presente ora? Grazie in anticipo

Salve, volevo comprare un altro banco di Ram per il mio pc fisso. Il mio pc fisso attuale monta una ram ddr2 Pc2-5300 da 1gb. Volevo sapere se potevo mettere un'altra Ram da 1gb però con una frequenza diversa, la mia Ram su Cpu-z da 333Mhz. Posso montarne una da 668 oppure da 800, insomma con una frequenza più alta? Grazie in anticipo!

Salve! Sono nuovo in questo forum ma mi piace già moltissimo! Vorrei un consiglio sul mio PC... dato che è un po vecchio volevo renderlo più veloce cambiando la RAM solo che non sono molto sicuro su quale prendere.... il mio pc monta RAM da 512 e volevo aumentarle... aah e poi per cambiare le RAM basta inserirle a computer spento e poi avviare normalmente oppure si devono installare??? Ecco i componenti: Mobo: Asus K8V-X SE CPU: AMD Sempron 3000+ RAM: DDR 512mb Single Scheda Video: NVIDIA GeForce FX 5200

Corsair Vengeance-Dominator Specifiche-Tagli-Frequenze Dominator Vengeance Specifiche System Desktop System Type DDR3 M/B Chipset Intel X79 Test Voltage 1.65 Volts Height 40 mm / 1.58 inch Registered/Unbuffered Unbuffered Error Checking Non-ECC Type 240-pin DIMM Warranty Lifetime Features Intel XMP (Extreme Memory Profile) Ready Immagini Dominator Vengeance

G.Skill RipjawsZ Series Specifiche-Tagli-Frequenze Specifiche System Desktop System Type DDR3 M/B Chipset Intel X79 Test Voltage 1.65 Volts Height 40 mm / 1.58 inch Registered/Unbuffered Unbuffered Error Checking Non-ECC Type 240-pin DIMM Warranty Lifetime Features Intel XMP (Extreme Memory Profile) Ready Immagini

In rete sono apparse le prime immagini anzi le prime misurazioni per vedere se molti dissipatori abbinati con ram ad altro profilo possano andare bene sulle nuove schede madri X79.A quanto sembra la risposta è no soltanto per dissipatori maggiori di 110 mm e ram ad alto profilo da 55 mm. Difatti come vedremo nelle immagini la distanza tra gli slot nelle motheboard X79 è di soli 110 mm. Ecco le immagini

La guida che segue nasce dall'esigenza personale di fugare i dubbi sul funzionamento delle RAM di tipo SDRAM DDR e DDR2 (che sono quelle attualmente utilizzate) e dei principali timings associati. La guida è stata scrita cercando di fare un compendio delle varie informazioni trovate qua e la in giro sulla rete e soprattutto studiando i datasheet dei costruttori di memorie che sono sull'argomento una miniera di informazioni. C'e' da dire che per leggere i datasheet ho dovuto rispolverare tutte le vecchie nozioni di elettronica ormai abbandonate dai tempi dell'università (che ahimè sono lontani), e quindi ho cercato di mettere in maniera più semplice possibile le cose capite ed elaborate a partire dai datasheet. La guida cerca di spiegare il funzionamento delle DDR SDRAM (anche per le DDR2 valgono tutti i ragionamenti fatti) e dei principali timings che si trovano nei bios delle schede madri più evolute (per es. DFI). Chi avrà tempo e voglia di leggere i datasheet dei costruttori delle memorie e quelli dei controller di memoria (io mi sono basato sul controller AMD integrato nel processore) vedrà che i timings che regolano il funzionamento delle RAM e del controller di AMD nella realtà sono un miriade e che solo i principali sono presenti nei bios delle motherboard. Naturalmente nello spirito del forum sono a disposizione per recepire osservazioni/precisazioni/commenti, e naturalmente sono a disposizione di tutti coloro che hanno bisogno di chiarimenti e vorrebbero reperire del materiale per studiare in maniera più approfondita quanto riassunto in questa guida. INIZIO DELLA GUIDA 1. Introduzione Lo scopo del presente tutorial è quello di comprendere i timings che regolano il funzionamento delle moderne memorie DDR SDRAM. Per raggiungere questo scopo è necessario capire le modalità di funzionamento della memoria e in particolare come sono effettuate le operazioni elementari come la lettura e la scrittura dei dati. Saranno presi in considerazione dei modelli semplificati di funzionamento che sono adatti a descrivere compiutamente i timings delle memorie. Verrà utilizzato un linguaggio che sia il più semplice possibile e dei modelli semplificati che se da una parte consentiranno ad un numero maggiore di persone di comprendere gli argomenti trattati, dall'altra faranno storcere il naso agli utenti maggiormente esperti e a quelli più puristi: mi scuso anticipatamente con questi utenti. Tutte le considerazione fatte sui timings sono valide anche per le memorie DDR2 SDRAM visto che la loro architettura interna è comunque quella di una memoria SDRAM. L'unica differenza tra DDR e DDR2 consiste nella banda di uscita e verrà chiarita meglio nel seguito. 2. Indirizzamento in un modulo di memoria DDR SDRAM Logicamente i chip che costituiscono le memorie sono organizzati come degli array bidimensionali (matrici) che vengono acceduti specificando un indirizzo di riga ed un indirizzo di colonna. Ciascun elemento della matrice contiene una cella elementare di memorizzazione. Pertanto per accedere un dato contenuto in una data cella di memoria bisogna fornire due indirizzi uno di riga ed uno di colonna, e quindi se suppongo di avere una memoria che è composta da un array bidimensionale (matrice) di 8192 righe e 1024 colonne avrò bisogno di: • 2^13=8192 di un indirizzo di13 bit per indirizzare ciascuna delle righe presenti nella matrice • 2^10=1024 un indirizzo di 10 bit per indirizzare ciascuna delle colonne presenti nella matrice In totale avrò bisogno di un indirizzo composto da 13+10=23 bit per indirizzare correttamente il contenuto di una cella di memoria. In altre parole questo significa che dovrei fornire al chip di memoria 23 linee che consentano di trasportare l'indirizzo con cui si individua una cella elementare di memoria. Primo espediente che viene utilizzato nelle moderne memorie DDR SDRAM invece di utilizzare 23 linee che consentano di trasportare l'indirizzo, se ne utilizzeranno solo 13 che rappresentano le linee necessarie per poter indirizzare le righe. Per indirizzare le colonne utilizzerò le stesse linee ma in tempi diversi: prima sarà trasferito l'indirizzo della riga da cui si vuole leggere il dato e subito dopo sarà trasferito l'indirizzo della colonna utilizzando (nell'esempio fatto) solo 10 delle 13 linee di indirizzo disponibili. Ecco il motivo per cui ho bisogno il segnale di RAS (Row Address Select) e il segnale di CAS (Column Address select), questi segnali servono per far capire al controller della memoria che quello che sto passando è un indirizzo di riga oppure di colonna. Pertanto qualsiasi accesso alla memoria per fare una qualsiasi operazione prevede in sequenza il segnale di RAS seguito dall'indirizzo di riga ed il segnale di CAS seguito dall'indirizzo di colonna. Ma perchà© si è complicato il meccanismo di indirizzamento della memoria passando l'indirizzo completo in due tempi? La spiegazione è molto più semplice di quanto si creda: si vogliono risparmiare delle linee di indirizzo per consentire una miniaturizzazione più spinta e quindi per consentire di avere maggiori quantità di memoria in parità di spazio. Nella microelettronica quando si deve portare qualche linea elettrica al di fuori del chip sorgono sempre grossi problemi, infatti questo costituisce uno dei maggiori impedimenti da superare nella progettazione di un qualsiasi chip miniaturizzato. A questo punto facciamo un accenno alla metodologia utilizzata per memorizzare i dati all'interno di una cella di memoria. Sostanzialmente viene utilizzato un circuito elettrico che può essere schematizzato come un condensatore che può essere caricato o scaricato, attribuendo ai due stati elettrici del condensatore i valori binari 0 ed 1 ecco fatto che avrò un circuito in grado di memorizzare dei dati al proprio interno. Il tutto può essere schematizzato nel seguente modo: Questo circuito rappresenta un buon risultato dal punto di vista della miniaturizzazione perchè utilizza un numero minimo di componenti, però ha un inconveniente che è quello di tutti i condensatori e cioè che passato un certo tempo tende a perdere la sua carica elettrica di fatto perdendo il contenuto informativo contenuto in esso. Per ovviare a questo inconveniente si ricorre al refresh che consiste nell'accedere (dando quindi tensione alla cella elementare), ad intervalli di tempo regolari (refresh time), il contenuto di ogni cella mantenendo inalterati i dati originali. Così è possibile mantenere i dati all'interno della DRAM per un tempo indeterminato. Il refresh viene anche effettuato in corrispondenza di ciascuna operazione di lettura/scrittura in memoria. 3. Densità e banchi in un chip di memoria I chip di memoria più diffusi sono quelli da 4, 8, e 16 bit (più raramente 32 bit). Quindi un chip di 512 Mbit di memoria può essere composto fino a 128M con celle a 4 bit, 64M con celle a 8 bit, oppure 32M con celle a 16 bit, le corrispondenti notazioni sono 128M * 4, 64M * 8, e 32M * 16. La prima cifra è chiamata depth (profondità ) di un chip di memoria ed è una quantità adimensionale, la seconda è chiamata width (ampiezza) ed è espressa in bit. Ciascun chip di memoria è caratterizzato da una densità (profondità * ampiezza) ed è organizzato in banchi (di solito 4 e più raramente 2). Quindi la densità indica la quantità di celle elementari memoria presenti in un chip e le linee dati in uscita (I/O) del chip, per esempio: • 64 Mbit * 8 significa che il chip di memoria è da 512 Mbit (densità ) e che in uscita vengono utilizzate linee dati di I/O con ampiezza di 8 bit ; • 32 Mbit * 16 significa che il chip di memoria è da 512 Mbit (come prima) e che in uscita vengono utilizzate linee dati di I/O con ampiezza di 16 bit; Se il chip è organizzato in 4 banchi avrò all'interno del chip 4 matrici di 128 Mbit ciascuna ovvero utilizzando gli stessi esempi di prima: • avrò 4 matrici di 8192 * 1024 * 16 • avrò 4 matrici di 8192 * 512 * 32 Dagli esempi fatti si nota che se l'uscita del chip è di n bit allora ogni elemento delle matrici di memoria conterrà 2 * n bit, questo è dovuto al fatto che l'architettura delle memorie DDR SDRAM utilizza un'architettura del tipo Double Data Rate (DDR appunto), che è essenzialmente un'architettura con un tipo d'interfaccia progettata per trasferire due data words per ogni ciclo di clock nei pin di I/O. In una memoria DDR SDRAM un singolo accesso in lettura/scrittura consiste effettivamente di un trasferimento interno al chip di un singolo dato che contiene 2n-bit per ciascun ciclo di clock, e corrisponde sui pin di I/O a due dati che contengono ciascuno n-bit, in cui ciascun dato viene trasferito ogni mezzo ciclo di clock (un dato viene trasferito sul fronte di salita del clock e un altro dato sul fronte di discesa). In altre parole con un unico ciclo di clock vengono accedute e rese disponibili due data words, mentre nelle vecchia memorie SDRAM con un ciclo di clock veniva acceduto e reso disponibile un solo data word, quindi in generale a parità di frequenza di clock la banda delle DDR SDRAM è doppia rispetto a quella delle normali SDRAM. L'organizzazione in banchi implica che avrò bisogno di ulteriori bit di indirizzo per indirizzare uno dei quattro banchi presenti in ciascun chip, che vengono chiamati segnali di Bank Address (BA). Per riassumere quanto detto si può considerare il seguente schema logico di un chip di memoria: Nella realtà le cose sono molto più complicate, però questo schema riassume i concetti principali che concorrono alla lettura/scrittura di valori all'interno di un chip di memoria. Sono presenti i seguenti elementi: 1) i segnali di indirizzamento: a) i segnali di Bank Address BA0 e BA1 che servono a indirizzare uno dei 4 banchi di memoria presenti all'interno del chip; b) i segnali di Address da A0 a A12 che consentono di indirizzare le celle di memoria all'interno di ciascun banco. 2) i segnali di controllo: a) CS (Chip Select) che serve a selezionare/deselezionare il chip di memoria; b) WE (Write Enabled) che serve ad abilitare/disabilitare la scrittura in questo chip di memoria; c) CAS (Columns Address Select) che è il segnale che precede gli indirizzi di colonna; d) RAS (Row Address Select) che è il segnale che precede gli indirizzi di riga. 3) DQ0-DQ7 che sono le linee di I/O del chip di memoria. L'organizzazione di un array di memoria SDRAM in banchi è stato introdotto principalmente per aumentare le performance, anzi per essere più precisi, per minimizzare le latenze del sistema. Infatti, il fatto di avere più banchi può consentire, per esempio, di accedere una riga in un banco mentre contemporaneamente si sta eseguendo un refresh un'altra riga in un altro banco. Oppure di organizzare i dati nella memoria in modo tale che il prossimo dato che sarà acceduto sarà nell'altro banco e nella riga di memoria che è stata appena refreshata ed è pronta per essere letta/scritta, risparmiando un ciclo di refresh (ricordiamo che tutte le operazioni di lettura/scrittura sono associate ad un ciclo di refresh). Questo metodo di accesso è detto bank interleaving. Per i più puristi e quelli più esperti riporto di seguito come nella realtà è l'architettura di un chip di memoria da 512 Mbit con densità 64 Mbit * 8: Lo schema è tratto da un data sheet di un chip di memoria commerciale di un noto produttore, chi vuole può divertirsi a capirlo in dettaglio. Comunque i concetti fondamentali sono quelli descritti nello schema semplificato prima presentato. 4. Granularità in un modulo di memoria Il concetto di granularità si riferisce al fatto che più chip di memoria con una qualsiasi densità possono essere collegati assieme in un layout di un PCB per formare un modulo di memoria di una capacità qualsiasi. Come già visto l'ampiezza di un chip è la capacità della sua interfaccia con il bus dati di I/O (un chip 64 Mbit * 8 ha ampiezza di 8 ovvero è capace a veicolare in I/O 8 bit alla volta). Considerando che i moderni controller di memoria hanno bus dati a 64 bit, bisogna assemblare assieme tanti chip di memoria tali che l'ampiezza totale veicolata in I/O corrisponda a quella dell'ampiezza del bus dati del controller. Quindi la composizione di un banco SDRAM di 64 bit richiede 16 chip con ampiezza * 4, 8 chip con ampiezza * 8, 4 chip con ampiezza * 16 cioè viene fatta riempiendo il bus dati del controller. Il rimanente parametro di capacità che è la profondità viene utilizzato per determinare la capacità totale del modulo fisico di memoria SDRAM. Per esempio un tipico modulo di 1GB di SDR/DDR/DDR2 SDRAM ha profondità di 1GB * 8 (bit/byte) / 64 bits = 128M. Quindi in questo caso il modulo è denotato come 128M * 64. C'è da dire che in un banco fisico di memoria posso ottenere la stessa capacità utilizzando chip che hanno profondità che è la metà di quella massima utilizzabile, così per esempio posso ottenere un modulo di 1GB utilizzando 8 chip 64M * 16 oppure utilizzando 16 chip 64M * 8. Nel primo caso si parla di memoria singl-bank (o single-rank), nel secondo caso di memoria dual-bank (o dual-rank). Le memorie dual-bank sono rappresentate con configurazioni che utilizzano 16 chip con ampiezza * 8, docve il primo banco è formato dai primi otto chip nel lato frontale del modulo e gli altri otto chip nel lato posteriore nel modulo di memoria. Naturalmente i moduli di memoria dual-bank di solito hanno maggiori latenze di accesso rispetto a quelli single-bank. Per i più esperti di seguito viene riportato un diagramma funzionale a blocchi di un layout PCB standard, preso da un datasheet di un noto costruttore, che rende l'idea di come i chip di memoria a 66 pin vengono collegati assieme per ottenere un modulo di memoria DDR SDRAM da 1 GB unbuffered a 184 pin: Notate come le linee dati di I/O sono 64 e il segnale di chip select consente di selezionare 8 banchi per volta.

Qualcuno sa dirmi perchè su sandy bridge passando da 2 a 4 banchi ram con gli stessi timing e stesso overclock mi aumenta un pelo la banda e perche la cache l3 mi passa da 31.000 a quasi 45.000 con aida?? sono 2 banchi da 4 giga l'uno e 4 banchi da 2 giga l'uno.

Visto che il buon Giannino mi ha fatto venir voglie strane ... vediamo un pò come si comportano queste rammine ... 2100 @ timings default (1.65v)

Carissimi, spero anzitutto di non aver sbagliato zona in cui postare questo messaggio, desidero chierdVi una cosa riguardante l'upvolt nella configurazione bios. Anzitutto Vi premetto che la mia configurazione è quella in firma, e che le mie memorie sono le Patriot AMD Black edition, 4 banchi da 2 gb, 1600 (O.C.) Cl 7-7-7-20. Il problema è il seguente: la mia scheda madre riconosce queste memorie in plug'nplay, facendole girare a 10066 mhz, o, al più a 1333 mhz in 1t. quando provo ad impostare la ram latency dall'AMD Overdrive, in riavvio il pc non fa il boot e quindi sono costretto ad agire sul clrmoss. Ho visto sul sito della patriot che per settare correttamente le mie metorie è necessario aumentare il voltaggio delle stesse dal Bios, passando da 1.5v a 1.7v. A quel punto è possibile settare latenza, frequenza e 2T per sfruttare appieno la velocità della mia ram. La domanda, in definitiva, è: effettuare questo upvolt può creare problemi alla scheda madre o all'hardware in generale, oppure è un'operazione che non comporta rischi dato l'esiguo incremento di voltaggio (0.2v)?? grazie a tutti per la risposta!

per acquisto errato ho comprato queste ram corsair dominator tr3x6g1600c8 io ha una piatttaforma amd dfi lanparty jr 790gx m3h5 ,cpu phenom2,queste ram sono triple channel ho provato ad istallare tutti 3 i banchi ma il sistema non era stabile,adesso con due cioè 4 gb funziona bene.la domanda è come posso attivare il dual channel ,comprando altri due banchi ram funzionerebbe :cheazz:,oppure 1 analogo a quello che già ho ?oppure venderli e comprare un kit dual channel?

Salve a tutti sono un nuovo iscritto a questo forum. Sto per assemblarmi il mio primo pc e volevo chiedervi una mano. Ho gia deciso i componenti del mio PC ma non sono sicuro di alcune scelte, e non vorrei che tra qualche componente ci siano conflitti (soprattutto dopo la spesa che sto per fare) o qualche componente che abbia riscontrato troppi problemi. Questa e' quelle che intendo acquistare: CPU : Intel E8500 RAM : indeciso tra OCZ 4GB Kit 2*2GB ReaperX e Corsair 4GB Kit TWIN2X (DDR2) HD : WD 1TB Scheda video : ATI Radeon HD4870 1 GB Scheda madre : indeciso tra P5Q Deluxe, P5Q PRO TURBO e P5QC (che supporta anche le DDR3) Lettore DVD : LG GH22 CASE : Cooler master Storm Scout Alimentatore : consigli, in caso limite uso uno che gia ho Scheda Audio : Xonar X1 Monitor: Asus X230H Come scheda madre preferirei una con almeno due PCIe X16 per un possibile crossfire futuro. Accetto qualsiasi consiglio e soprattutto informazioni su possibili contrasti tra questi componenti, se potete anche un prezzo orientativo di ognuno dato che online i prezzi variano troppo. Grazie mille anticipatamente.

Salve sono un nuovo iscritto con poca esperienza su hardware ho un nootebook toshiba a200 e vorrei raddoppiare la ram passando da 2 a 4gb dato che vista mi impalla il computer... Ho controllato e le mie slot sono occupate da 2 ram samsung da 1gb ddr2 667... Cosa scelgo? Quale marca? Che frequenza (667 o 800) ???? Costo?? Dato che sono confuso aspetto vostri consigli.... A presto antonio

Ciao a tutti! Mi sono iscritto per il concorso...ma ho visto che il sito è molto disponibile ad aiuti e consigli per cui...vi pongo un quesito che non mi sta dando pace Ho un sony vaio vgn-fs315m con 512mb di ram. Io studio grafica...e sinceramente con 512 mb ci faccio veramente poco...così avevo pensato di comprare dei banchi ram per arrivare a 2GB. Mi hanno detto che dovrei mettere due banchi da 1gb, eliminando quindi quella da 512. Ora, comprarle della sony...purtroppo non è proprio possibile...dato il costo veramente assurdo per uno studente... sapete consigliarmi qualche marca e soprattutto qualche modello che è sicuramente compatibile? Vi allego le informazioni dettagliate sulla ram attuale...in modo da capire bene il modello sUL SITO sony dice Memoria installata: Slot: 1 : 256 Mb Slot: 2 : 256 Mb Memoria max.: 2048 MB Il modello del modulo è: VGP-MM512L VGP-MM512L Modulo di memoria da 512 MB per le serie VGN-A5, VGN-A4, VGN-A3, VGN-S5, VGN-S4, VGN-S3, VGN-FS4, VGN-FS3, VGN-TX e VGN-FJ. Capacità di memorizzazione: 512 MB DDR2-SDRAM 400 Mhz GRAZIE MILLE!