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G.Skill DDR 3 1600 MHz F3-12800CL7D-4GBECO (2x2Gb)

copertina Il mercato delle memorie di classe “Enthusiast” è in continua crescita. Sempre maggiori richieste da parte degli utenti spingono le case produttrici di ram ad oltrepassare lo standard certificato “JEDEC” di DDR3-1333. Le attuali schede madri sono attrezzate per supportare le nuove frequenze di funzionamento in piena stabilità ed efficienza. Il mercato delle DDR3 è ormai maturo e ben consolidato, lo testimoniano i prezzi in continuo e graduale calo. Questa ampia scelta invoglia il consumatore ad aggiornare il proprio Computer. Le nuove soluzioni DDR3 da 4GB sono in grado di  far lavorare in maniera ottimale veloce ed efficiente il nuovo sistema operativo di casa Microsoft ”Windows Vista 64 bit”.                                                                                                                                                                                                                 

In questo mercato “Enthusiast” non poteva certamente mancare una azienda consolidata e radicata nel mercato come  G. SKILL che, con la sua nuova proposta di DDR3 F3-12800CL7D-4GBECO, si rivolge a tutte quegli utenti che vogliono ottenere le massime prestazioni dal proprio Pc, senza spendere cifre folli.

Foto_G.Skill_ddr3__002_Logo_G.Skill

G.Skill ha introdotto nel mercato la nuova serie di memorie ECO. Si tratta di ben sei kit che vanno da una frequenza di 1333Mhz a 1600Mhz. Ciò che li rende speciali è il loro voltaggio estremamente basso, cioè 1.35V. Il kit sarà disponibile in configurazioni dual channel da 2x2GB, cioè 4GB complessivi. Sono ram appositamente studiate e progettate per i nuovi processori Intel Lynnfield per socket LGA 1156. Le CPU Lynnfield sono dotati di un memory controller integrato DDR3 dual-channel.

Questi kit lavoreranno a pieno regime di velocità e latenza con soli 1.35V, mentre lo standard JEDEC per le DDR3 è di 1.5V e il voltaggio standard per Intel Lynnfield è di 1.65V. Le memorie montano i nuovi IC Low voltage.

Voltaggi bassi significano basse temperature e maggiore stabilità del sistema. Inoltre i consumi ridotti vanno ad incidere sull´eco compatibilità di quesit kit, da cui l´origine "brand" Eco.

Secondo G.Skill questo kit riuscirà a ridurre l´emissione termica del 16% rispetto allo standard JEDEC DDR3 e il voltaggio di 1.35V ridurrà il VDIMM del 18% rispetto a quanto richiesto dallo standard IMC per Intel.
Ecco la serie completa di Kit della "famiglia" ECO da parte di G.Skill:
  • - DDR3 1333 4GB (2GBx2) CL9-9-9-24 1.35V;
  • - DDR3 1333 4GB (2GBx2) CL8-8-8-24 1.35V;
  • - DDR3 1333 4GB (2GBx2) CL7-7-7-21 1.35V;
  • - DDR3 1600 4GB (2GBx2) CL9-9-9-24 1.35V;
  • - DDR3 1600 4GB (2GBx2) CL8-8-8-24 1.35V;
  • - DDR3 1600 4GB (2GBx2) CL7-8-7-24  1.35V.

Le memorie che andremo a recensire oggi sono le G. SKILL F3-12800CL7D-4GBPI: un kit  “2x2GB” di DDR3 facente parte della serie “ECO”, sinonimo di altissima qualità costruttiva abbinata ad una eccellente stabilità che in questi anni ha contraddistinto l’azienda e che consente a G.Skill di garantire a vita i propri prodotti.

La sigla “G.Skill F3-12800CL7D-4GBECO” è una nomenclatura adottata dall’azienda per contraddistinguere le proprie differenti proposte di ram DDR3, diversificate in base al prezzo e al segmento di mercato.
Soffermiamoci ad analizzare in dettaglio il significato della nomenclatura con queste nuove DDR3:

G. SKILL F3-12800CL7D-4GBECO:

G.Skill = Marca della casa produttrice.

  • F3 = Tipo di memoria, in questo caso DDR3.
  • 12800 = Velocità della memoria, in questo caso 1600Mhz.
  • CL7 = La latenza della memoria, in questo caso è certificata per andare a Cas. 7-8-7-24 – 2T con un voltaggio di 1.35V.
  • D = La lettera “D” indica il supporto al Dual Channel.
  • 4GB = Indica la capacità, in questo caso, abbiamo 4Gb di memoria e precisamente n.2 moduli da 2Gb l’uno.

ECO = Indica la famiglia di appartenenza con voltaggi di 1.35v. Bassi consumi, incidono sull´eco compatibilità di quesit kit, da cui l´origine "brand" Eco.

G. SKILL F3-12800CL7DECO:

Codice Prodotto: F3-12800CL7D-4GBECO;
Capacità: 4GB - 2x 2048MB Memory Modules;
Velocità d’esercizio PC3-12800, 1600MHz DDR3;
Timings: 7-8-7-24 – 2T;
Voltaggio: 1.35 V;
Tipo: 240-Pin DDR3 SDRAM;
Garanzia: A vita.

Potrete trovare maggiori informazioni sul prodotto oggetto della nostra prova al seguente link:
http://www.gskill.com/products.php?index=247

Vediamo quindi che sono 4GB “2X2GB” di DDR3 1600Mhz a CAS 7, particolarmente indicate per l’overclock visto i voltaggi molto contenuti.

Questi banchi attualmente non rappresentano la proposta Top da 4GB DDR3 in casa G.Skill ma, come vedremo, raggiungono risultati senza dubbio di primissimo ordine. Dalle nostre prove possiamo affermare che il kit si è dimostrato molto duttile ed estremamente indicato alla pratica dell’overclock.

Tra i vari timings che possiamo modificare, in genere accessibili dal sottomenu Advanced Chipset Features del bios della propria scheda madre, sono essenzialmente quattro i parametri che maggiormente vengono variati:

Cas Latency Time (TCL): durante un operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.

Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
Row Precharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più veloce il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.

G. Skill certifica i propri moduli per un funzionamento con voltaggio pari a 1,35V. Questo voltaggio risulta essere inferiore di 0,15V rispetto alle specifiche JEDEC per memorie DDR3-1333.

Raccomandiamo l’uso di un Command Rate pari a 2T per non aver alcun tipo di problema.

Il CMD (e' il Command rate) ed e' il tempo che passa tra l'attivazione del chip di memoria e quando un comando può essere inviato alla memoria stessa. 1T equivale a 1 ciclo di clock, 2T a due cicli di clock etc.
E' evidente che minore e' T maggiori sono le prestazioni. Il 2T invece da prestazioni inferiori, ma permette maggiore stabilità ed Overclock più spinti.
Ad onor di cronaca, durante le nostre prove, abbiamo raggiunto senza alcun tipo di problema la piena stabilità operativa, impostando il Command rate a 1T alla frequenza operativa di 1600Mhz Cas 7-8-7-24 con 1.35v. Questo è senza ombra di dubbio sinonimo di ottima qualità costruttiva da parte di G.Skill!

G. SKILL è nata nel lontano 1989, la sede e a Taipeoi,  Taiwan e ben presto si è affermata come una delle principali aziende a livello mondiale nella produzione di memorie Ram.
Per G. SKILL la priorità assoluta è quella di dare la migliore qualità associata alle migliori prestazioni.
Tutti i prodotti sono manualmente testati al 100% per ben due volte. Una prima volta in fabbrica e una seconda in ufficio, al fine di garantire la massima qualità e sicurezza al consumatore.

G. SKILL punta al massimo livello fin dal disegno iniziale, passando per le saldature e il montaggio, arrivando all’ispezione da parte di tecnici che ne determinano la compatibilità con i vari sistemi.

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