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Samsung: memorie a 30nm

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Samsung ha annunciato l'avvio della produzione di chip a 30nm MLC (multi-level cell) dotato di interfaccia DDR e chip di memorie MLC NAND flash a 3bit per singola cella.
Per quando riguarda il primo chip si cerca di arrivare a 133 megabit/s rispetto agli attuali 40 megabit/s, queste memorie potranno essere utilizzare per la realizzazione di dischi SSD, per shcede di memoria SD o nella moviNAND di Samsung.
Invece le soluzioni a 3bit per cella vanno destinate per le microSDHC da 8GB e rispetto alle soluzioni a 2bit attualmente utilizzate si può avere una maggior quantità di spazio per lo storage.
- Pirro Jacopo -