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Intel è riuscita a realizzare memorie flash NAND a 20nm

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intel-logo-blue Introdotto da Intel Corporation e Micron Technology Inc. sono riuscite a realizzare chip di memoria NAND flash con processo produttivo avanzato a 20 nm. Nel dettaglio sono riuscite a produrre una 8-gigabyte (GB) multi-level cell (MLC) NAND flash, fornendo in questo modo una elevata capacità e dimensioni dei chip ridottissime. Questo permetterà una riduzione dei costi e finalmente una concorrenza nell'ambito delle capacità tra i dischi a stato solido e gli hardisk meccanici. A beneficiarne sarà il mercato della musica, video, dei libri e i tanti dispositivi quali smartphone, tablet PC che fanno largo uso di unità di memorizzazione a stato solido (SSD).


Intel_20nm

Il nuovo dispositivo da 8GB basato sui 20nm misura solo 118 millimetri ² e consente una riduzione dal 30 al 40 % (a seconda del tipo di pacchetto) rispetto all'attuale produzione dei dispositivi NAND da 8 GB a 25nm. Una riduzione del layout di memoria flash offre anche una maggiore efficienza a livello di sistema in quanto consente ai produttori di tablet e smartphone di utilizzare lo spazio extra per il miglioramento del prodotto finale come una batteria più grande, uno schermo più grande o lo spazio guadagnato per aggiungere un altro chip per la gestione di nuove funzionalità.

I dispositivi da 8GB a 20nm dovrebbero entrare in produzione di massa nella seconda metà del 2011. Per tale periodo Intel e Micron prevedono anche di svelare campioni di dispositivi a 16 GB, e ottimisticamente parlando di arrivare fino a 128GBs di capacità in una singola soluzione di storage a stato solido con una superficie più piccola di un francobollo degli Stati Uniti.

Staremo a vedere, seguiteci e Vi terremo aggiornati.
- Pirro Jacopo -