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Common Platform rivela le strategie per i trasnsistor del futuro: 14nm FinFET per seguire le orme di Intel

CommonPlatform_Logo_500A poche settimane dal lancio dei primi processori basati sul rivoluzionario transistor 3-D di Intel, anche le altre maggiori fonderie, appartenenti al consorzio Common Platform annunciano il passaggio a nuove tecnologie di produzione dei transistor.

Common Platform riunisce gli intenti di IBM, Samsung e Global Foundries (spin-off e fonderia principale di AMD). In occasione del Common Platform Technology Forum che si sta svolgendo a Santa Clara in California, i produttori hanno in programma l'introduzione della tecnologia FinFET, simile al transistor 3D di Intel, con il nuovo processo produttivo a 14nm, che raggiungerà presumibilmente gli utenti finali nel 2014 o 2015 circa.  
Il FinFET come suggerito dal nome sfrutta delle sottili alette per la formazione del canale Drain-Source, avvolte dal gate per massimizzare l'efficienza e ottenere un design più compatto.

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Il nuovo processo produttivo a 14nm prevederà inoltre l'adozione di un bulk di tipo Fully Depleted - Silicon on Insulator (FD-SOI), altra tecnologia volta alla riduzione dei consumi. La tecnologia SOI (in particolare la Partially Depleted - SOI) è stata invece abbandonata dal consorzio Common Platform nei processi produttivi a 28nm e 20nm per via delle scarse rese produttive. Il deposito di materiale isolante sullo strained silicon, spesso comporta ulteriori pressioni che portano alla rottura del transistor stesso. 
Nel corso della conferenza, verranno inoltre stabilite le strategie comuni che le fonderie appartenenti al consorzio adotteranno nei prossimi mesi.  

Fonte: BrightSideOfNews

Leonardo Angelini
 Redazione XtremeHardware